单晶硅是制造绝大多数集成电路、CPU、高端传感器(MEMS)的基石。与深反应离子刻蚀等传统技术不同,飞秒激光加工无需掩膜、灵活性更高、能够在不产生热影响的情况下加工任意微结构,在硅基器件可行性研究、小批量定制化场景具有显著优势。
一、硅的核心特征
物理属性:单晶硅属于脆性非透明材料,机械强度较高但耐高温能力弱,500℃以上易发生塑性变形,在传统加工应力下极易产生崩边、碎裂及微裂纹。
硅半导体的导电性介于导体和绝缘体之间,导电能力可以通过掺杂等工艺被控制,从而实现复杂的电路功能。也正因如此,单晶硅微加工的表面质量要求严格,任何缺陷会直接破坏其电学性能。纳秒、皮秒等激光加工时,材料经历熔化再凝固的过程,热量在硅材中迅速传导,产生应力带来的微裂纹和影响表面质量的熔融物。
需要使用“无损伤”的先进工具进行精密加工。
二、飞秒激光为什么适合加工硅?
飞秒激光(1 飞秒 = 10⁻¹⁵秒)属于超短脉冲,高峰值能量瞬时释放,通过多光子电离效应直接气化材料,所以称为“冷加工”或“非热加工”,从根本上避免了传统激光加工的热影响。
加工特点:
亚微米级超高精度(±1μm)
几乎没有热影响
无材料限制
非接触无应力
高光洁表面质量(≤ Ra 0.2μm)
材料无崩边
边缘无熔化和微裂纹
几乎不需要或完全不需要后期处理
常规支持 350×350 毫米基板尺寸
厚度不超过 2毫米
三、飞秒激光硅材加工主要应用场景
1、微孔钻孔
广泛用于半导体器件散热孔、MEMS 传感器通气孔,TSV(硅通孔)加工。
单色科技通过螺旋钻孔、光束整形等先进工艺,可实现能量高效传递,显著提升加工精度与品质。
可控锥度——正锥度、负锥度或零锥度
可钻盲孔和通孔
各种形状孔:圆形、方形、异形
零锥孔的深径比更高可达 1:10
孔壁无熔融、重铸层
孔位偏差 ±1μm


飞秒激光硅片钻孔:材料厚度0.2mm,锥形+27μm孔径直通孔,深度180μm
2、微结构成型
制作硅基微通道、微凹槽、凹坑等,用于微流控芯片、半导体器件表面改性、对准标记划线、传感器敏感位点构建,实现减反射、光电转换等功能应用。
与化学蚀刻相比,飞秒激光不受晶体取向限制,任意复杂的二维、三维结构,为MEMS器件的快速原型制作和半导体芯片的定制化加工提供了极大的灵活性。可以补充光刻技术短板,简化流程,降低半导体制造中复杂图案的制备成本。
高精度微结构
一次成型
深度可控
光洁度≤ Ra 0.2μm
平面或曲面工件

飞秒激光硅材金字塔结构刻蚀:数千个结构一次成型,无塌角,塔台宽度41±1μm。
1、切割
飞秒激光可将小尺寸晶圆“无损”切割成特定尺寸或形状。
直线或弧线切割
切缝最小宽度最小可达3微米
无碳化、几乎无变色
边缘清晰、无毛刺

传统工艺(左)与飞秒激光(右)硅晶圆切割质量对比,飞秒激光切割边缘平滑、无碳化。
飞秒激光设备可同步完成硅片微孔加工与表面结构化,正以微米级精度与冷加工优势推动硅基制造技术升级。作为国内深耕极端制造飞秒激光技术的装备提供商,单色科技不仅提供先进的定制化飞秒激光加工设备,还为客户提供可行性研究验证与小型批量生产服务。
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